IBM vừa cho biết rằng hãng đã đạt được một số thành tựu trong việc phát triển công nghệ bộ nhớ PCM ( phase change memory) và hãng tin rằng đã đến lúc để thương mại hóa nó. PCM hoạt động bằng cách dùng điện để làm nóng một vật liệu đặc biệt bên trong chip nhớ. Khi một cell nhớ nguội đi từ từ, các phân tử sẽ tự sắp xếp lại thành mạng tinh thể, còn nếu nguội nhanh thì nó sẽ trở thành một đám vô định hình. Ở dạng tinh thể, vật liệu sẽ truyền điện tốt trong khi dạng vô định hình thì không. Việc phát hiện ra sự khác biệt này giúp máy tính biết liệu một cell đang chứa bit 1 hay bit 0. Lợi ích của PCM so vớiNAND Flash đó là tốc độ nhanh hơn nhiều lần (tối đa 100 lần) và độ trễ thấp hơn. HGST từng trình diễn một nguyên mẫu SSD PCM cho tốc độ đọc ghi ngẫu nhiên lên đến 3 triệu IOPS.
Năm 2011, IBM đã chứa được 2 bit trên 1 cell nhớ, còn hôm nay hãng đã nâng con số này lên 3 bit. Điều này có nghĩa là các chip nhớ PCM sẽ chứa được nhiều dữ liệu hơn trong cùng một đơn vị diện tích so với các nghiên cứu trước. Việc chứa được nhiều dữ liệu hơn trên mỗi cell giúp PCM tiến gần hơn một bước nữa tới việc cạnh tranh với các giải pháp lưu trữ NAND Flash truyền thống về mặt chi phí sản xuất.
Cũng cần nói thêm rằng PCM chưa thể nhanh như DRAM, vốn đang được sử dụng để làm RAM cho máy tính và các thiết bị điện toán hiện nay. Theo lý thuyết, DRAM vẫn nhanh hơn PCM khoảng 5 tới 10 lần khi truy xuất dữ liệu. Bù lại, IBM kỳ vọng PCM sẽ rẻ hơn DRAM và trong tương lai nó sẽ rẻ ngang với chip nhớ flash.
CNET
0 Nhận Xét:
Đăng nhận xét