Samsung vừa ra mắt con chip lưu trữ mới trang bị chuẩn tốc độ cao Universal Flash Storage (UFS) 2.0 với dung lượng lên tới 256GB.
Trước đây bộ nhớ UFS đã từng được Samsung trang bị cho chiếc Galaxy S6 với dung lượng 128GB. Năm nay Samsung giới thiệu bộ nhớ UFS 2.0 dung lượng lên đến 256GB với mục tiêu hướng đến là những chiếc điện thọai cao cấp tiếp theo của Sansung, rất có thể sẽ là chiếc Galaxy Note 6. Samsung cho biết nhờ sử dụng chip V-NAND mà bộ nhớ này có được tốc độ đọc ở mức tối đa lên tới 850Mb/s, tốc độ này có giá trị gấp đôi so với SSD SATA phổ thông hiện nay được trang bị trên PC, có tốc độ ghi lên tới 260Mb/S nhanh gấp ba lần tốc độ ghi trên các thẻ nhớ microSD cao cấp hiện nay. Ngoài ra nhờ có tốc độ đọc và nghi nhanh như thế, loại chip này sẽ là bộ nhớ thích hợp để lưu trữ cung như quay phim với chất lượng 4K.
Cụ thể, Samsung cho biết với bộ nhớ mới này cùng với chuẩn kết nối USB 3.0 trên thiết bị tiếp theo của họ, bạn chỉ mất 12 giây để Coppy một bộ phim FullHD dài 90 phút với kích cỡ khoảng 5GB. UFS 2.0 mới này cho thấy được sự thành công của Samsung khi mà mới chỉ năm ngoái họ giới thiệu chip bộ nhớ UFS 128GB vào tháng 2 năm ngoái, chỉ sau một năm nó đã tăng gấp đôi cả về dung lượng bộ nhớ cả hiệu suất.
0 Nhận Xét:
Đăng nhận xét